BSL211SP PB 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.7A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6v~-1.2v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
* OptiMOS -P Small-Signal-Transistor.
* P-Channel.
* Enhancement mode.
* Super Logic Level (2.5 V rated).
* 150°C operating temperature.
* Avalanche rated.
* dv/dt rated. |
| 描述与应用 |
* OptiMOS-P小信号晶体管。
* P-通道。
* 增强模式。
* 超级逻辑电平（2.5 V额定）。
* 150°C的工作温度。
* 额定雪崩。
* dv / dt的评级。 |
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