BSP100 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
6A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.1Ω/Ohm @2.2A,10v |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
8.3W |
| Description & Applications |
N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistor ? Trench’ technology VDSS = 30 V ? Low on-state resistance ? Fast switching ID = 6 A ? High thermal cycling performance ? Low thermal resistance |
| 描述与应用 |
N沟道增强模式BSP100的TrenchMOS晶体管 ?'战壕'技术VDSS= 30 V ?低通态电阻 ?快速切换ID=6 ?高的热循环性能 ?低热阻 |
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