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型号： |
BSP225 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
BSP225 |
| 厂家： |
NXP/PHILIPS |
| 封装： |
SOT-223 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
0 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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BSP225 BSP225 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-250V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.225A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
10Ω @-200mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
FEATURES ? Very low RDS(on) ? Direct interface to C-MOS, TTL, ? High-speed switching ? No secondary breakdown |
| 描述与应用 |
?非常低的RDS（on） ?直接连接C-MOS，TTL， ?高速开关 ?无二次击穿 |
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标记/丝印/代码 |
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