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BSP250 BSP250 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-300V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.25Ω @-1A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.--2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
5W |
| Description & Applications |
FEATURES ? High-speed switching ? No secondary breakdown ? Very low on-resistance. |
| 描述与应用 |
?高速开关 ?无二次击穿 ?非常低的导通电阻 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSP250 |
BSP250 |
NXP/PHILIPS |
0621+ROHS |
SOT-223 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSP250 |
BSP250 |
NXP/PHILIPS |
06+ROHS |
SOT-223 |
9000 |
场效应管FET |
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