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BST120
 型号：  BST120
 标记/丝印/代码/打字：  LM
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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BST120 LM 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -0.3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 6Ω @-200mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.5--3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL D-MOS TRANSISTOR very low Ron direct interface to C-MOS high-speed switching no second breakdown
描述与应用 P-沟道增强型垂直D-MOS晶体管 非常低罗恩 C-MOS直接接口 高速开关 无二次击穿
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