CEH2311 114R3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
97m?@ VGS = 2.5V, ID = 3.7A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6--1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -20V, -3.5A, RDS(ON)= 85m? @VGS = -4.5V RDS(ON)= 130m? @VGS = -2.5V High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable Lead free product is acquired TSOP-6 package |
| 描述与应用 |
P沟道增强型场效应晶体管 -20V，3.5A，RDS（ON）=85mΩ@ VGS=-4.5V RDS（ON）=130mΩ@ VGS=-2.5V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 坚固可靠 无铅产品可用 TSOP-6封装 |
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