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型号： |
CES2302 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
23 |
| 厂家： |
TAIWAN |
| 封装： |
SOT-23/SC-59 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
2750 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
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CES2302 23 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.072Ω/Ohm 3.6A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
|
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
20V, 3.0A, RDS(ON)= 72mW @VGS = 4.5V. RDS(ON)= 110mW @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable. SOT-23 package. |
| 描述与应用 |
20V，3.0A， RDS（ON）=72MW@ VGS= 4.5V。 RDS（ON）=110mW的@ VGS=2.5V。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 坚固，可靠。 SOT-23封装 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| CES2302 |
23 |
TAIWAN |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2750 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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