CXT5401 CXT5401 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?150V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100~300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?500mV/-0.5V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
1.2W |
| Description & Applications |
SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5401 type is an PNP silicon transistor manufactured bythe epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. |
| 描述与应用 |
表面贴装PNP硅晶体管 产品描述： 中央半导体CXT5401型的PNP硅晶体管所生产外延平面工艺，在一个表面贴装封装，高电压放大器应用设计的环氧模。 |
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