DDTA114YU WN 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-70mA |
| 基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
10KΩ/Ohm |
| 基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
47KΩ/Ohm |
| 电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
0.21 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
68 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W/200mW |
| Description & Applications |
Feature ? SURFACE MOUNT PNP Digital Silicon Transistor ? Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) ? High current gain. ? Suitable for high packing density. ? Low colloector-emitter saturation. ? High saturation current capability. ? Internal isolated PNP transistors in one package. ? Built in bias resistor(R1=10k?, Typ. ) ? Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. |
| 描述与应用 |
功能 ?表面贴装PNP数字硅晶体管 ?小型表面贴装型。 （SC-70/SOT-323） ?高电流增益。 ?适合高堆积密度。 ?的低colloector发射极饱和。 ?高饱和电流能力。 ?内部孤立的PNP晶体管在一个封装中。 ?内置偏置电阻（R1=10kΩ的典型。） ?开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路。 |
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