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DTC115EM3T5G
 型号：  DTC115EM3T5G
 标记/丝印/代码/打字：  8N
 厂家：  ON
 封装：  sot-723
 批号：  0521NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼NPNNPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
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DTC115EM3T5G 8N 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 100KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 100KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.26W/260mW
Description & Applications Features ? Simplifies Circuit Design ? Reduces Board Space ? Reduces Component Count ? The SOT?723 Package can be Soldered using Wave or Reflow. ? Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel ? These are Pb?Free Devices
描述与应用 特性 ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数量 ?SOT-723封装，可以使用波或回流焊接。 ?可用在4毫米，8000单位带卷 ?这些都是Pb-Free设备
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