DTC115EM3T5G 8N 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
100KΩ/Ohm |
| 基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
100KΩ/Ohm |
| 电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
1 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.26W/260mW |
| Description & Applications |
Features ? Simplifies Circuit Design ? Reduces Board Space ? Reduces Component Count ? The SOT?723 Package can be Soldered using Wave or Reflow. ? Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel ? These are Pb?Free Devices |
| 描述与应用 |
特性 ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数量 ?SOT-723封装，可以使用波或回流焊接。 ?可用在4毫米，8000单位带卷 ?这些都是Pb-Free设备 |
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