DTDS14GP SO 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
2A |
| 基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
|
| 基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
10KΩ/Ohm |
| 电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
1500 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.5W/500mW |
| Description & Applications |
Features 1)High gain,hFE=1500(Typ.) 2) Low Vce(sat). (Typ. 0.16V ) 3) Built-in zener diode gives strong protection against reverse surge by L-load (an inductive load). |
| 描述与应用 |
特性 1）高增益，HFE=1500（典型值） 2）低Vce（sat）。 （典型0.16V） 3）内置齐纳二极管提供了有力保护防止反向浪涌低负载（感性负载）。 |
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