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EC4H07C
 型号:  EC4H07C
 标记/丝印/代码/打字:  P
 厂家:  SANYO
 封装:  ECSP1008-4
 批号:  05+
 库存数量:  10000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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EC4H07C P 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 4V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 12.5Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~160
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications UHF to S Band Low-Noise Amplifierand OSC Applications Low noise : NF=1.5dB typ (f=2GHz). High cut-off frequency Low operating voltage. High gain Ultraminiature (1008 size) and thin (0.6mm) leadless package.
描述与应用 UHF到S波段低噪声Amplifierand 振荡应用 低噪音:NF=1.5dB typ (f=2GHz)。 ?高截止频率:FT =10GHz的典型值(VCE=1V), FT =12.5GHz典型值(VCE=3V)。 低工作电压。 高增益 超小型(1008大小)和薄(0.6毫米)无铅 包。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
EC4304C V SANYO 05+ ECSP1008-4 6000 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
EC4H07C P SANYO 05+ ECSP1008-4 10000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
EC4A01TF-4-B-TR-H V SANYO 08NOPB E-CSP1008-4 6856000 场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel 查看
EC4A01TF-4-B-TR-H V SANYO 09NPB E-CSP1008-4 0 场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel 查看
EC4K11MF-BY-TR SANYO 06 ECSP1410-4-F 8000 集成电路ICIntegrated Circuit(IC)-其它Other 查看

 

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