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EMB10
 型号：  EMB10
 标记/丝印/代码/打字：  B10
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-563/EMT6
 批号：  04+ROHS8KM
 库存数量：  12000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    PNP+PNP
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EMB10 B10 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -12V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 2.2KΩ/Ohm
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 47KΩ/Ohm
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 0.047
耗散功率Pc Power Dissipation 2.2KΩ/Ohm
Description & Applications 47KΩ/Ohm
描述与应用 0.047
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