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EMD9
 型号：  EMD9
 标记/丝印/代码/打字：  D9
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-563/EMT6
 批号：  04nopb
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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EMD9 D9 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?6Vto+40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 70mA/-70mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.21
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.21
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features ?DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a EMT or UMT or SMT package ?(Dual Digital Transistors for Inverter Drive)
描述与应用 特点 ?DTA114Y和DTC114Y晶体管内置在EMT或UMT或SMT封装 ?（逆变器驱动的双数字晶体管）
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