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EMT1
 型号：  EMT1
 标记/丝印/代码/打字：  T1
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-563/EMT6
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  2000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+PNP
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EMT1 T1 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -150mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 140MHz
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 120~560
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio -500mV
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 150mW
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) Features ? General Purpose Transistor (Isolated Dual Transistors) ? Two 2SA1037AK chips in a EMT or UMT or SMT package. ? Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. ? Transistor elements are independent, eliminating interference.
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 特点 ?通用晶体管（隔离双晶体管） ?两个2SA1037AK芯片在EMT或UMT或SMT封装。 ?安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 ?晶体管元素是独立的，消除干扰。
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications
描述与应用
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