ESD0P8RFL E8 的参数 |
| 极性
Polarization |
单向 Unidirectional |
| 反向关断电压/工作电压VRWM
Reverse Standoff Voltage |
50V |
| 反向击穿电压VBR
Breakdown Voltage |
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| 峰值脉冲耗散功率PPPM
Peak Pulse Power Dissipation |
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| 峰值脉冲电流IPPm
Peak Forward Surge Current |
10A |
| 额定耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
RF ESD Protection Diodes ;Features ? ESD protection of RF antenna / interfaces or ultra high speed data lines acc. to: IEC61000-4-2 (ESD): ± 20 kV (air / contact) IEC61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns) IEC61000-4-5 (surge): 10 A (8/20 μs) ? Very low line capacitance: 0.8 pF @ 1 GHz ( 0.4 pF per diode) ? Ultra low series inductance: 0.4 nH per diode ? Very low clamping voltage ? Ultra small leadless package 1.2 x 0.8 x 0.39 mm ? Pb-free (RoHS compliant) package ? Qualified according AEC Q101 |
| 描述与应用 |
射频 ESD保护二极管;特性 ?RF天线/ ESD保护 接口或超高速数据线符合： IEC61000-4-2（ESD）：±20千伏（空气/接触） IEC61000-4-4（EFT）：40（5/50ns） IEC61000-4-5（浪涌）：10 A（8/20微秒） ?极低的线路电容：0.8 pF@ 1 GHz的 （0.4 pF每二极管） ?超低串联电感：0.4 nH的每二极管 ?极低钳位电压 ?超小型1.2×0.8×0.39毫米无引线封装 ?无铅包装（符合RoHS） ?符合AEC Q101 |
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