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型号： |
F5018-S-TB16R |
| 标记/丝印/代码/打字： |
F5018 |
| 厂家： |
FUJI |
| 封装： |
TO-252/D-PAK |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
4600 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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| 在线购买 |
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F5018-S-TB16R F5018 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
40V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-0.3V~7V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
140mΩ ID=5A VGS=5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0V~2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
15W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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在线阅读 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| F5018-S-TB16R |
F5018 |
FUJI |
05+ |
TO-252/D-PAK |
4600 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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