FCX491ATA N2 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~900 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
40V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 V(BR)CEO > 40V High current capability IC = 1A Low saturation voltage VCE(sat) < 500mV Complementary PNP type: FCX591A “Lead Free”, RoHS Compliant Power MOSFET gate driving Low loss power switching |
| 描述与应用 |
40V NPN硅平面中功率晶体管SOT89 V（BR）CEO>40V 高电流能力IC=1A 低饱和电压VCE（sat）<500mV的 互补PNP类型：FCX591A ?“对无铅，符合RoHS标准 功率MOSFET的栅极驱动 低损耗电源开关 |
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