FDC5614P 564C 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
135m?@ VGS = -4.5V, ID = -2.7A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1~-3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
60V P-Channel Logic Level Power Trench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage Power Trench process. It has been optimized for power management applications. Applications ? DC-DC converters ? Load switch ? Power management Features ? Fast switching speed ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) |
| 描述与应用 |
60V P沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压功率沟槽过程。它已被优化电源管理应用。 应用 ?DC-DC转换器 ?负荷开关 ?电源管理 特点 ?开关速度快 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） |
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