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型号： |
FDC642P |
| 标记/丝印/代码/打字： |
642P |
| 厂家： |
FAIRCHILD |
| 封装： |
SOT-163/SOT23-6 |
| 批号： |
14+ROHS |
| 库存数量： |
9000 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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FDC642P 642P 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.054Ω @-4A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.6W |
| Description & Applications |
? Rugged gate rating (±12V). ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? SuperSOT TM-6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick). |
| 描述与应用 |
?坚固的门评级（±12V）。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?的SuperSOT TM-6包装：占地面积小（小72％ 比标准的SO-8）;低调（1mm厚） |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| FDC6401N |
401 |
FAIRCHILD |
05+PB |
SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| FDC640P |
640 |
FAIRCHILD |
05+NOPB |
SOT-163/SOT23-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDC6420C |
420 |
FAIRCHILD |
07+NOPB |
SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 |
315 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| FDC642P |
642 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
680 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDC642P |
642P |
FAIRCHILD |
14+ROHS |
SOT-163/SOT23-6 |
9000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| FDC6432SH |
6432 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/SSOT-6 |
2184 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| FDC640P |
640 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-163/SOT23-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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