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FDC6432SH
 型号:  FDC6432SH
 标记/丝印/代码/打字:  6432
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  SOT-163/SOT23-6/SSOT-6
 批号:  05+
 库存数量:  2184
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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FDC6432SH 6432 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 16V/8V
最大漏极电流Id Drain Current 2.4A/-2.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 105m?@ VGS = 4.5V, ID =2.2A/220m?@ VGS =-1.8V, ID =-1.6A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1~3V/-0.4~-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.3W
Description & Applications 12V P-Channel Power Trench MOSFET, 30V Power Trench Sync FET General Description This complementary P-Channel MOSFET with Sync FET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for providing an extremely low RDS(ON) in a small package. Applications DC/DC converter Power management Features · Low gate charge · High performance trench technology for extremely low RDS(ON). · Super SOT –6 package
描述与应用 12V P沟道功率沟槽MOSFET,30V功率沟道同步FET 概述 ???这种互补的P沟道MOSFET同步FET已专门设计,以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。它已被优化在一个小型封装提供极低的RDS(ON)。 应用 DC/ DC转换器 电源管理 特点 ·低栅极电荷 ·高性能沟道技术极低的RDS(ON)。 ·超级SOT-6包装
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