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FDD8896
 型号:  FDD8896
 标记/丝印/代码/打字:  8896
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  1600
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDD8896 8896 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 9.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.0057Ω/Ohm @3.5A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.2-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 80W
Description & Applications N-Channel PowerTrench ?MOSFET 30V, 94A, 5.7m? General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed. Features ? rDS(ON) = 5.7mW, VGS = 10V, ID = 35A ? rDS(ON)= 6.8mW, VGS = 4.5V, ID = 35A ? High performance trench technology for extremely low DS(ON) ? Low gate charge ? High power and current handling capability
描述与应用 N-沟道PowerTrench?MOSFET 30V,94A,5.7mΩ 概述 这N沟道MOSFET已专门设计 提高整体效率的DC / DC转换器 同步或传统开关PWM 控制器。它已被优化的低门电荷,低 RDS(ON)和快速开关速度。 ?高性能沟道技术极低 DS(ON) ?低栅极电荷 ?高功率和电流处理能力
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