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FDG313N
 型号：  FDG313N
 标记/丝印/代码/打字：  13
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88
 批号：  05+NOPN108K
 库存数量：  384200
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDG313N 13 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 950mA/0.95A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.45Ω/Ohm @500mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 750mW/0.75W
Description & Applications Digital FET, N-Channel General Description This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistor and small signal MOSFET. Features ? 0.95 A, 25 V. R DS(on)= 0.45 ? @ V GS = 4.5 V R DS(on)= 0.60 ? @ V GS = 2.7 V. ? Low gate charge (1.64 nC typical) ? Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS(th) < 1.5V). ? Gate-Source Zener for ESD ruggedness (>6kV Human Body Model). ? Compact industry standard SC70-6 surface mount package.
描述与应用 数字FET，N沟道 概述 这N沟道增强型场效应 晶体管的生产采用飞兆半导体专有的，高 细胞密度，DMOS技术。这非常高密度 特别是针对减少通态过程 阻力。该设备已被特别设计 作为替代低电压应用 双极数字晶体管和小信号MOSFET。 ?低栅极电荷（典型值1.64 NC） ?非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作3V电路（VGS（TH）<1.5V）。 ?门源齐纳二极管ESD坚固 （>6kV人体模型）。 ?紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
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 相关型号列表
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