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FDG6335N
 型号：  FDG6335N
 标记/丝印/代码/打字：  35
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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FDG6335N 35 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 700mA/0.7A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 400m?@ VGS = 2.5V, ID =600mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications 20V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package. Applications · DC/DC converter · Power management · Loadswitch Features · Low gate charge · High performance trench technology for extremely low RDS(ON) · Compact industry standard SC70-6 surface mount package
描述与应用 20V N-沟道PowerTrench MOSFET 概述 此N沟道MOSFET已专门设计，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。它已被优化使用小开关稳压器，在一个小型封装提供极低的RDS（ON）和栅极电荷（QG）。 应用 ·DC/ DC转换器 ·电源管理 ·负载开关 特点 ·低栅极电荷 ·高性能沟槽技术非常低的RDS（ON） ·紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
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