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FDN327N
 型号：  FDN327N
 标记/丝印/代码/打字：  327
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDN327N 327 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.07Ω/Ohm @2A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET General Description This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications Features ·2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 80 mW @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 120 mW @ VGS = 1.8 V Low gate charge (4.5 nC typical) Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
描述与应用 N沟道1.8 VGS指定的PowerTrench MOSFET 概述 此20V N沟道MOSFET采用飞兆半导体的高 电压的PowerTrench过程。它已被优化为 电源管理应用。 低栅极电荷（4.5 nC型） 开关速度快 高性能沟道技术极 低RDS（ON）
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