FDN339AN 339 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.035Ω/Ohm @3A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Low gate charge (7nC typical). ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) .? High power and current handlingcapability. |
| 描述与应用 |
低栅极电荷（典7nC）。 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON） ?高功率和电流处理能力 |
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