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FDN357N
 型号:  FDN357N
 标记/丝印/代码/打字:  357
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDN357N 357 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.06Ω/Ohm @1.9A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM-3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
描述与应用 行业标准外形SOT-23表面贴装 包装使用专有SuperSOT TM-3设计 卓越的热性能和电能。 高密度电池设计极低的RDS(ON) 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
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