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FDN361AN
 型号：  FDN361AN
 标记/丝印/代码/打字：  361
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  07+NOPB1500
 库存数量：  3170
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDN361AN 361 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 1.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.1Ω/Ohm @1.1A,10v
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications N-Channel, Logic Level, PowerTrench General Description This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. ? Low gate charge ( 2.1nC typical ). ? Fast switching speed. ? High performance trench technology for extremely low RDS(on) .? High power version of industry standard SOT-23package. Identical pin out to SOT-23 with 30% higher power handling capability.
描述与应用 N沟道逻辑电平，的PowerTrench 概述 这N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用 飞兆半导体的PowerTrench进程， 特别是针对已最大限度地减少通态电阻 但为保持低栅极电荷出色的开关 性能。 ?低栅极电荷（2.1nC典型值）。 ?快速开关速度。 ?高性能沟道技术极 低RDS（on） ?高功率版本的行业标准SOT-23package的。 相同的引脚SOT-23的30％更高的功率处理能力
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