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FKV660S FKV660S 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
60V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
6A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.014Ω/Ohm 2.5A,10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
6W |
Description & Applications |
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描述与应用 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
FKV660S |
FKV660S |
SANKEN |
05+ |
TO-263 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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