FMMTH10TA 3EZ 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
25mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
650MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
SOT23 NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTOR High fT=650MHz Maximum capacitance 0.7pF Low noise < 5dB at 500MHz |
| 描述与应用 |
SOT23 NPN硅平面RF晶体管 高FT =650MHz 最大容量的0.7 pF 频率为500MHz时低噪声<5dB |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
