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FQD3P20TF
 型号：  FQD3P20TF
 标记/丝印/代码/打字：  3P20
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  TO-252/DPAK
 批号：  05+
 库存数量：  200
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FQD3P20TF 3P20 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current -1.52A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 2.06Ω @-1.2A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -3.0--5.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications ? -2.4A, -200V, RDS(on)= 2.7? @VGS = -10 V ? Low gate charge ( typical 6.0 nC) ? Low Crss ( typical 7.5 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability
描述与应用 ?低栅极电荷（典型6.0 nC） ?低Crss（典型7.5 pF） ?快速开关 ?100％雪崩测试 ?改进的dv / dt能力“
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