FX802 802 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-25V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-5A |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
320MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
-500mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-250~-500mV |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
肖特基-双管共阴 SBD-1 Pair Common Cathode |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
30V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
4A |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
550mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
Features ? TR:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor SBD:Schottky Barrier Diode (Twin type · Cathode Common) ? DC-DC Converter ? Complex type of a low saturation voltage, high speed switching and large current PNP transistor and a fast recovery and low forward voltage Schottky barrier diode facilitating high-sensity mounting. ? The FX802 is composed of 2 chips, one being equivalent to the 2SB1302 and the other the SB20W03P, placed in one packae. |
| 描述与应用 |
特点 ?TR：PNP平面外延硅晶体管 ?SBD：肖特基势垒二极管（双床型·阴极常见） ?DC-DC转换器 ?复杂型低饱和电压，高速交换和大电流PNP晶体管和一个快速恢复和低正向电压的肖特基势垒二极管促进高SENSITY的安装。 ?FX802是由2芯片，其中相当于2SB1302和其他SB20W03P的，放置在一个包装。 |
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