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HAF2011-90STR-E
 型号:  HAF2011-90STR-E
 标记/丝印/代码/打字:  HAF2011
 厂家:  RENESAS
 封装:  TO-263
 批号:  07NOPB
 库存数量:  1000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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HAF2011-90STR-E HAF2011 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 16V
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.02Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.25mW
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications ?Logic level operation (4 to 6 V Gate drive) ?High endurance capability against to the short circuit ?Built-in the over temperature shut-down circuit ?Latch type shut-down operation (Need 0 voltage recovery)
描述与应用 ?逻辑电平操作(4至6 V栅极驱动器) ?高续航能力,对短路 ?内置过温关断电路 ?闭锁类型关机操作(需要0电压恢复)
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