HAT1069C-EL-E VY 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.038Ω @-1.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3--1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
Features ? Low on-resistance RDS(on) = 38 m? typ (at VGS = –4.5 V) ? High speed switching ? Capable of 1.8 V gate drive ? High density mounting |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS（ON） =38MΩ典型值（VGS=-4.5 V） ?高速开关 ?能够为1.8V栅极驱动 ?高密度安装 |
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