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型号： |
HAT2054M |
| 标记/丝印/代码/打字： |
2054 |
| 厂家： |
HITACHI |
| 封装： |
SOT-163/TSOP-6 |
| 批号： |
05+ |
| 库存数量： |
0 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
在线阅读  |
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HAT2054M 2054 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
6.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.031Ω/Ohm @3A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-2.5v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
? Low on-resistance ? Low drive current ? High density mounting ? 4.5V gate drive device can be driven from 5V source |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 ?低驱动电流 ?高密度安装 ?4.5V栅极驱动器可驱动5V电源 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| HAT2053M-EL |
2053 |
RENESAS |
05+NOPB2900 |
SOT-163 |
8800 |
场效应管FET-其它Other |
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| HAT2054M |
2054 |
HITACHI |
05+ |
SOT-163/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| HAT2054M |
2054 |
HITACHI |
05+ |
SOT-163/TSOP-6 |
6200 |
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| HAT2096H |
2096 |
NEC |
05+ |
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160 |
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05+ |
LFPAK |
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RENESAS |
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04+NOPB |
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2266 |
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05NOPB |
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0 |
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SANYO |
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0 |
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| HAT2204C |
VU |
RENESAS |
09+NOPB |
SOT-363 |
2800 |
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| HAT2173H |
2173 |
SANYO |
06+ |
LFPAK |
600 |
场效应管FET-其它Other |
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