HM5551 HM5551 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.2W |
| Description & Applications |
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR The HM5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. High collector-emitter breakdown voltage. VCEO>160V(@IC=1mA) Complements to PNP type HM5401 |
| 描述与应用 |
NPN外延平面晶体管 HM5551是专为一般用途的应用要求 高击穿电压。 高集电极 - 发射极击穿电压。 VCEO>160V（@ IC=1毫安）， 互补PNP型HM5401 |
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