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HMBT8050-D
 型号：  HMBT8050-D
 标记/丝印/代码/打字：  D9
 厂家：  HI-SINCERITY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  300
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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HMBT8050-D D9 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 700mA/0.7A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 40
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 500mV/0.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications NPN EPITAXIAL TRANSISTOR The HMBT8050 is designed for general purpose amplifier applications. High DC Current hFE=150-400 at IC=150mA Complementary to HMBT8550
描述与应用 NPN外延晶体管 专为通用放大器的应用程序。 高DC电流在IC=150MA时HFE=150-400 对管HMBT8550
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