HN1C03FU-B C3B 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
300mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
30MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~1200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
42mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Including two devices in SM6 (Super mini type with 6 leads) ? High emitter-base voltage: VEBO = 25V (min) ? High reverse hFE: reverse hFE = 150 (typ.)(VCE =?2V, IC =?4mA) ? Low on resistance: RON = 1? (typ.)(IB = 5mA) ? For Muting And Switching Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺）包括两个设备在SM6（超迷你型6引线） ?高发射极 - 基极电压VEBO= 25V（最小值） ?高反向HFE：扭转HFE=150（典型值）（VCE=2V，IC=4毫安） ?低导通电阻RON=1Ω（典型值）（IB=5毫安） ?对于静音和开关应用 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
