HN1C05FE-A FA 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
400mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
130MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
300~1000 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
110mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
100mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Low Saturation Voltage: VCE(sat)(1)=15mV (Typ.) :@ IC = 10mA/ IB = 0.5mA ? High Collector Current :IC=400mA(Max.) ? Low Frequency Amplifier Applications ，Muting Application ，Switching Application |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺） ?低饱和电压VCE（SAT）（1）=15mV的（典型值）：@ IC=10毫安/ IB=0.5毫安 ?高集电极电流IC=400毫安（最大） ?低频率放大器应用，静音应用，切换应用程序 |
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