HN2E01F-B 12B 的参数 |
| 三极管BJT类型
TYPE |
NPN |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA |
| 三极管BJT截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
2mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.12~0.25V |
| 二极管DIODE类型
TYPE |
快恢复-单管 Fast Recovery Diode-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR
Reverse Voltage |
80V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io
Rectified Current |
100mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF
Forward Voltage(Vf) |
980mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE ? Super High Speed Switching Application Audio Frequency Amplifier Application General Switching Application Q1 ? Low Forward Voltage Drop : VF(3)=0.98V(typ.) ? Fast Reverse Recovery Time : trr=1.6ns(typ.) ? Low Total Capacitance : CT=0.5pF(typ.) Q2 ? High DC Current Gain : hFE=600~3600 ? High Voltage : VCEO=50V ? High Collector Current : IC=150mA(max.) ? Q1 (Diode) : 1SS352 Equivalent ? Q2 (Transistor) : 2SC4666 Equivalent |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝多芯片分立器件 ?超高速开关应用音频放大器应用通用开关应用 Q1 ?低正向压降VF（3）=0.98V（典型值） ?快速反向恢复时间：TRR =1.6ns（典型值） ?低总电容CT值为0.5pF（典型值） Q2 ?高DC电流增益：HFE=600?3600 ?高电压：VCEO= 50V ?高集电极电流IC=电流150mA（最大） ?Q1：1SS352当量（二极管） ?Q2（晶体管）：相当于2SC4666 |
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