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HN2S02JE
 型号：  HN2S02JE
 标记/丝印/代码/打字：  A9
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-553/ESV
 批号：  0305NOPB11K
 库存数量：  17380
 所属分类：  二极管Diodes
  肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes
    2个管独立式2 Independent
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HN2S02JE A9 的参数
反向电压Vr Reverse Voltage 40V
平均整流电流Io AVerage Rectified Current 100mA/0.1A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 600mV/0.6V
最大耗散功率Pd Power dissipation 100MW/0.1W
Description & Applications . High-speed Switching Applications . HN2S02JE is composed of two independent Schottky Barrier diodes. . Low forward voltage: VF (3) = 0.54V (typ.) . Low reverse current: IR = 5μA (max.)
描述与应用 高速开关应用 HN2S02JE是由两个独立的肖特基二极管并排。 低正向电压VF（3）=0.54V（典型值） 低反向电流：IR=5μA（最大）
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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