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HSC226TRF S4 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
25V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
200mA/0.2A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
380mV/0.38V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching ? Low reverse current, Low capacitance. ? Ultra small Flat Lead Package (UFP) is suitable for surface mount design. |
| 描述与应用 |
?硅肖特基二极管，高速开关 ?低反向电流，低电容。 ?超小包装（UFP。 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| HSC226TRF |
S4 |
HITACHI |
04+NOPB310 |
SOD-523/UFP/0603 |
1310 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| HSC226TRF |
S4 |
HITACHI |
05+3R07NOPB |
SOD-523/UFP/0603 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
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