HVB190STR H9 的参数 |
| 反向电压VR
Reverse Voltage |
50V |
| 平均正向整流电流IF
Forward Current(If) |
50mA |
| 二极管电容值CT
Diode capacitance |
0.35pF（max） |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Silicon Epitaxial Planar PIN Diode for High Frequency Attenuator Features ? Low capacitance. (C = 0.35 pF max) ? Low forward resistance. (rf = 3.0 ? typ) ? CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly. |
| 描述与应用 |
硅外延平面PIN二极管高频衰减器 特点 ?低电容。 （C =0.35 pF最大） ?低正向电阻。 （RF =3.0Ω（典型值）） ?CMPAK包是适合高密度表面安装和高速汇编。 |
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