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HVM100TR T12 的参数 |
| 反向电压VR
Reverse Voltage |
15V |
| 电容值C
Diode capacitance |
421.5pF—524.6pF |
| @反向电压VR
@Reverse Voltage |
1V |
| 电容值C
Diode capacitance |
20.4pF-28.2pF |
| @反向电压VR
@Reverse Voltage |
8V |
| 电容比
Capacitance ratio |
16 |
| Description & Applications |
Features ? Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching ? High capacitance ratio. (n =16.0 min) ? High figure of merit. (Q =200 min) ? To be usable at low voltagee. ? MPAK package is suitable for high density surface mounting and high spee assembly |
| 描述与应用 |
特点 ?硅外延平面二极管高压开关 ?高电容率。 （N =16.0分钟） ?高数字的功德。 （Q =200分钟） ?可以使用在低voltagee的。 ?MPAK包装是适合高密度表面安装和高速装配 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| HVM100TR |
T12 |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59A |
1500 |
二极管Diodes-变容二极管Variable Capacitance Diodes (Varicaps, Varactors) |
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