IRF5810TR K6 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.9A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
135m?@ VGS = -2.5V, ID = -2.3A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45~-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
960mW/0.96W |
| Description & Applications |
Ultra Low On-Resistance Dual P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge |
| 描述与应用 |
超低导通电阻 双P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷 |
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