IRF6620TR1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
150A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.0027Ω/Ohm @2.7A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.55-2.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.8W |
| Description & Applications |
HEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount echniques |
| 描述与应用 |
HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 低开关损耗 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面贴装echniques的兼容 |
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