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IRFL9110TR
 型号：  IRFL9110TR
 标记/丝印/代码/打字：  FL9110
 厂家：  IR
 封装：  SOT-223
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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IRFL9110TR FL9110 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.2Ω @-660mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -2.0--4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 3.1W
Description & Applications ? Surface Mount ? Available in Tape and Reel ? Dynamic dV/dt Rating ? Repetitive Avalanche Rated ? P-Channel ? Fast Switching ? Ease of Paralleling ? Lead (Pb)-free Available
描述与应用 ?表面贴装 ?可在磁带和卷轴 ?动态dV / dt额定值 ?额定重复性雪崩 ?P沟道 ?快速开关 ?易于并联 ?铅（Pb）可用
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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