茂业电子---IRFR120N的库存详细介绍

型号：	IRFR120N
标记/丝印/代码/打字：
厂家：	IR
封装：	TO-252/D-PAK
批号：	05+
库存数量：	0
所属分类：	场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRFR120N 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current	2.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1.5Ω/Ohm @1350mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	2.5W
Description & Applications	DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SOT-223 package is designed for surface-mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performace due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount application. ? 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 7.2 nC) ? Low Crss ( typical 6.8 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability
描述与应用	说明 Vishay的第三代功率MOSFET提供设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。 SOT-223封装是专为表面安装使用气相，红外或波峰焊技术。其独特的包装设计，可以轻松自动挑选和地方与其他SOT或SOIC封装，但提高热过往的表现有额外的好处由于散热放大“选项卡。的功耗大于1.25 W是可能在一个典型的表面贴装应用。 ?2.7A，200V，RDS上） =1.5Ω@ VGS= 10 V ?低栅极电荷（典型7.2nC） ?低Crss（典型6.8 pF） ?快速开关 ?100％雪崩测试 ?改进的dv / dt能力
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