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IRFR3707ZTR
 型号:  IRFR3707ZTR
 标记/丝印/代码/打字:  FR3707Z
 厂家:  IR
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRFR3707ZTR FR3707Z 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 9.5Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.35-2.25V
耗散功率Pd Power Dissipation 5W
Description & Applications HEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 100% RG Tested High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 100% RG Tested Lead-Free
描述与应用 HEXFET?功率MOSFET 描述 第五代HEXFETs国际整流器采用先进的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处, 结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,为设计师提供了一个非常有效的 和可靠的装置,用于在各种各样的应用中。 D-PAK是专为表面安装使用气相,红外或波峰焊技术。直引线型(IRFU系列)是通孔安装的应用程序。有可能在典型的表面贴装应用的功耗水平,直至到1.5瓦。 表面贴装 先进的工艺技术 超低导通电阻 动态dv/ dt额定值 快速切换
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 相关型号列表

型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
IRFR310BTM FAIRCHILD 04+NOPB TO-252/D-PAK 400 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR320TF IRFR320 FAIRCHILD 05+ TO-252/D-PAK 60 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3303TR FR3303 IR 05+ TO-252/D-PAK 1300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3704 FR3704 IR 05+ TO-252/D-PAK 7500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3704 FR3704 IR 05+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
IRFR3707ZTR FR3707Z IR 05+ TO-252/D-PAK 500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

 

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