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型号: |
IRFR9220TR |
标记/丝印/代码/打字: |
FR9220 |
厂家: |
IR |
封装: |
TO-252/DPAK |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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IRFR9220TR FR9220 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.9A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
3.0Ω @-1.1A,-10V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-2.0--4.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
25W |
Description & Applications |
HEXFET POWER MOSFET dynamic avalanche rated surface mount straight lead available in tape&reel p-channel fast switching |
描述与应用 |
HEXFET功率MOSFET 动态额定雪崩 表面贴装 直导致 可在磁带和卷轴 p-沟道 快速切换 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
IRFR9010TR |
FR9010 |
IR |
05+ |
TO-252/DPAK |
800 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRFR9024NTRPBF |
FR9024N |
IR |
05+PB |
TO-252/DPAK |
300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRFR9024TR |
FR9024N |
IR |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
IRFR9210TR |
FR9210 |
IR |
05+ |
TO-252/DPAK |
600 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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IRFR9220TR |
FR9220 |
IR |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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